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La méthodologie de projet agile

La concentration des additions lourd (Fe, u, u, r, Zn etc.) dans les cristaux du silicium, par la méthode Tchokhral'sky et, n'excède pas 5-JU13, et à spécialement propre, reçu par la fonte multiple zonale,-5 ·1011 cm -

Dans l'aspect définitif le silicium présente de lui-même la plaque par le diamètre 15 - 40 cm, l'épaisseur 5 - 65 mm avec une surface unie comme un miroir. L'aspect des plaques avec une diverse orientation de la surface et le type de la conductibilité est amené sur le dessin

Les monocristaux du silicium reçus par la méthode, font près de 10 % du volume total du silicium produit unicristallin et vont pour l'essentiel sur la fabrication des appareils discontinus, particulièrement de grande puissance.